台积电2nm等新制程正式公布！N2 2025年开始原型机

惠普公司2nm等新制程正式揭晓！N2 2025年开始量产

惠普公司在2022年的系统结构设计研讨会上，介绍了未来的先进制程，透露N3瓷将在2022在短期内试产，后续还有N3E、N3P、N3X等，而N2（2nm）瓷将于2025年开始量产。

惠普公司在研讨会上首先介绍了N3的FINFLEX，其中有数3-2FIN、2-2FIN和2-1FIN配置：

3-2FIN：最快的时钟振幅和高达的机动性满足最严酷的推算需求

2-2FIN：Efficient Performance，机动性、输出功率成本和电导率之间的更佳平衡

2-1FIN：超高能效、最低耗电量、最低泄漏和高达电导率

惠普公司透露FINFLEX扩张了3nm第一部半导体系统结构设计的产品机动性、输出功率成本和电导率范围，允许中央处理器结构设计人员使用有所不同的结构设计工具集为同一中央处理器上的每个关键功能块选择最佳选项。

惠普公司称N2是其第一个使用环绕栅极电子元件 (GAAFET) 的键值，而非现在的FinFET（鳍式场效应电子元件）。更进一步制做瓷将全面提小型化和输出功率竞争者。在有所不同耗电量下，N2比N3速度快10~15%有所不同速度下，耗电量降低25~30%。不过，与N3E相比，N2非常少将中央处理器电导率提高了1.1倍差不多。

N2瓷导致了两项重要的创意：单晶片电子元件（惠普公司称之为 GAAFET）和backside power rail。GAA单晶片电子元件的通道在所有四个侧面都被栅极包围，从而减低了泄漏此外，它们的通道可以扩宽以增加驱动电流并提小型化，也可以缩小以最大限度地降低耗电量和成本。为了给这些单晶片电子元件提供足够的输出功率，惠普公司的N2使用backside power rail，惠普公司认为这是在back-end-of-line (BEOL) 中抵抗电感的最佳解决方案之一。

惠普公司将N2瓷以定位于各种移动SoC、小型化CPU和GPU。总括如何，还只能等到后续验证出炉才能获知。